术成熟后，在内存，fsh闪存等领域得到了普及。因为这些芯片的图案，各层之间是一致的。

于是内存芯片的层数，就开始了不断增长的过程。后世投入商用的层数，高达256层了。

在3d封装技术的加持下，内存芯片上的有效晶体管密度，算起来，早就低于1纳米了，甚至低于01纳米！

林晶圆的多层封装技术，经过近两年的探索，即将进入实用阶段。

多层封装中最困难的步骤，就是层间打孔技术。

这个技术一突破，剩下的就没有什么了。

在3d封装技术的加持下，林晶圆的内存产品，即将面世。

张百华团队，将被独立出来，成立内存事业部，将来甚至会被分拆。

虽然fsh闪存市场还没有成气候，但仅仅是ra内存一块，其市场规模和容量，就达到数千亿美元级别，接近，甚至超过tft液晶了。

这个市场，林晶圆无法独享，但是先手一步棋的价值，至少以百亿美元计算。

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“师姐，张师兄他们的内存马上要面世了，你的真三维芯片什么时候面世呢？”

一群人来了兴致。

真三维芯片，肯定比假三维来得高大上啊。

“嗯，我也不知道。现在有很多困难。我感觉弄不好十年之内都实用不了。”

魏惜寒团队研究的东西，被后世称为fi，和g。至于是否真的是同一个东西，就连成永兴也无法确认。

3维芯片面世的主要难点在于加工成本，和材料。

虽然3维结构的半导体原件，有很多优点，例如更低的电流损耗，更高的密度等。但不是所有半导体器件都能做成三维结构。

在同一层电路上，有些是三维结构，有些是二维的，那么在向上加工的时候，就会在高层空间上产生浪费现象。

所以，采用3维芯片结构，获得的收益，远远低于付出的加工成本。后世是在14纳米遇阻的情况下，硬着头皮突破的。

“就这样光研究，没有产出？”

大家闻言，失望之情，溢于言表。

“暂时是这样，不过也不能算没有收获。至少专利申请了一大堆。”

即使面对的曾经的队友，学妹，魏惜寒还是没有实话实说。

一些研究成果，已经有了相当的实用性。

但技术什么时候能够商用，则取决于公司的战略需要。

随着时间的流逝，林晶圆的立身之本，lele技术慢慢曝光了。3d技术，就是新的杀手锏和战略武器。

不过据魏惜寒估计，这个时间不会来得太晚。

首先，林晶圆不是一个军事化组织，保密协议签个年也就到头了。再多根本不现实。

lele开发团队，已经出现了人员流失。

这些团队成员，他们只要点头，百万年薪，移民，股票等，都有人送上门。

指望民间企业，长时间封存和保守商业秘密，根本不现实。

这点，就是台积电都做不到。

另外，林晶圆已经被人盯上了。

随着lele技术的逐渐成熟，林晶圆在08微米的产线上，成功实现02微米级别的样品的消息，成了爆炸性新闻。

在1995年，世界上的主流芯片制造技术，正在从05微米向035微米过渡。02微米芯片的消息，对全世界来说。都是一个震撼弹。

唯一让各芯片大厂欣慰的是，林晶圆的体量不算大，目前只有两条中小规模的晶圆厂量产。尽管他们还在拼命扩产能，产能落地，还需要时间。

但林晶圆给业界带来的压力，并不算小。

很多芯片制程落后的厂家，主动联系林晶圆，寻求合作机